TOTTEREAU , O

Strain relaxation mechanisms in metal-organic vapour phase epitaxy grown (Al,Ga)N/GaN heterostructures are presented. Relaxation first occurs through a 2D–3D transition. For pure AlN, misfit a-type dislocations are introduced at the coalescence front of growth islands. For (Al,Ga)N (Al concentration≤70%), the second relaxation step is cracking....

Les transitions des ions Tm 3+ ont un fort potentiel applicatif dans le domaine des fibres optiques amplificatrices. Afin d'améliorer leurs efficacités d'émission dans des fibres à base de silice, la voie explorée repose sur l'encapsulation des ions Tm 3+ dans des nanoparticules. Dans cette communication, nous étudions un procédé de fabrication...