July 6, 2021 (v1)
Conference paper
Les travaux portent sur la réalisation technologique d'un HEMT AlGaN/GaN normally-off avec une grille à barrière P-GaN. Des résultats de simulation ont montré que la tension de seuil de cette structure peut atteindre une valeur supérieure à 2 V et qu'elle est liée à la profondeur de gravure de la couche d'AlGaN. Nous avons développé une recette...
Uploaded on: December 4, 2022