ZAKNOUNE , Mohamed

AbstractQuasi-vertical gallium nitride (GaN) Schottky diodes on silicon carbide (SiC) substrates were fabricated for frequency multiplier applications. The epitaxial structure employed had an n− layer of 590 nm with doping 6.6 × 1016 cm−3, while the n+ layer was 950 nm thick, with doping 2 × 1019 cm−3. Potassium hydroxide (KOH) chemical surface...

Nous avons conçu et construit un système optique de synthèse d'ondes hyperfréquences, millimétriques et submillimétriques à très bas bruit de phase. Les résultats préliminaires montrent une densité spectrale de bruit de phase à 10 kHz de la porteuse d'une onde à 9 GHz limitée par l'appareil de mesure. Pour les bruits plus près de la porteuse,...

We report on the design of an ultra stable microwave/THz oscillator and on the realization and the characterization of its laser source. The tunable oscillator is expected to show below -150 dB rad2/Hz phase instability at an offset frequency of 10 kHz for a 30 GHz carrier frequency, as well as 18 GHz, 100 GHz, 400 GHz and 1 THz carrier frequencies.