Published July 3, 2018 | Version v1
Conference paper

Première démonstration expérimentale d'un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

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Description

Un nouveau concept d'interrupteur de puissance HEMT en GaN présentant la fonctionnalité « normally-off » est expérimentalement validé. L'introduction d'une couche P-GaN suffisamment dopée (autour de 2 x 10 18 cm-3) au sein de la couche buffer GaN NID, en-dessous de l'électrode de grille et sous l'interface AlGaN / GaN, permet d'obtenir une tension de seuil positive de 0,8 V, soit un décalage significatif supérieur à 6 V par rapport à celle d'un HEMT conventionnel « normally-on ».

Abstract

National audience

Additional details

Identifiers

URL
https://hal.laas.fr/hal-02981903
URN
urn:oai:HAL:hal-02981903v2