Published January 11, 2021
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Conference paper
An advanced ageing methodology for robustness assessment of normally-off AlGaN/GaN HEMT
Contributors
Others:
- Université de Bordeaux (UB)
- OMMIC SAS
- Université de Sherbrooke (UdeS)
- Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2) ; Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
- Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT) ; Université de Sherbrooke (UdeS)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- This work was supported by the French National Research Agency (ANR) through the PRCE project EDGaN and the LABEX GANEX.
- ANR-16-CE24-0026,ED-GaN,Co-intégration des transistors GaN à enrichissement et à déplétion pour les circuits de communication RF de la prochaine génération(2016)
- ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Description
The semi-on-state reliability of normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistor fabricated by fluorine ion plasma implantation technology is reported, focusing on an advanced dc step-stress methodology. By inserting a non-stressful fixed-bias step between each stress step, a reliable in-situ monitoring of gate and drain current degradations can be achieved without the use of conventional I-V interim measurements. A negative shift of the threshold voltage leading to an increase of the drain current is observed after the stress sequence carried out in semi-on-state regime. Currents monitoring during non-stressful steps reveal no permanent degradation up to stress step at VDS ˜ 19.5V and a self-healing mechanism occurring during non-stressful steps. By avoiding intermediate I-V control measurements after each stress step, this methodology provides a safe in-situ monitoring of degradations.
Abstract
International audienceAdditional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03362260
- URN
- urn:oai:HAL:hal-03362260v1
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- UNICA