Published June 7, 2019
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Conference paper
GaN Schottky Diode for High Power THz Generation using Multiplier Principle
Contributors
Others:
- Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- LERMA Cergy (LERMA) ; Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique et Atmosphères (LERMA (UMR_8112)) ; Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris ; Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris ; Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)
Description
GaN-based planar Schottky barrier diodes with potential applications in THz frequency multipliers were fabricated and characterized. GaN is a promising candidate to overcome all the physical limitations of GaAs which have been reached in the frame of high frequency power multiplier applications. Fabrication process of GaN Schottky diodes performed by e-beam is presented and DC characterizations are reported. The preliminary results showed that the behaviour in reverse bias is dominated by a leakage coming from the Schottky surface more than the periphery of the diode despite the supposed damage caused by the dry etching.
Abstract
International audienceAdditional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03384353
- URN
- urn:oai:HAL:hal-03384353v1
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- UNICA