Published September 16, 2024 | Version v1
Conference paper

Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate

Others:
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg (LUSAC) ; Université de Caen Normandie (UNICAEN) ; Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)
Institut Néel (NEEL) ; Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP) ; Université Grenoble Alpes (UGA)
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UniCA)
Université de Toulon (UTLN)
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP) ; Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg (LUSAC) ; Université de Caen Normandie (UNICAEN) ; Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)
ANR-22-CE05-0028,ACTION,Nouveau transistors à canaux AlGaN pour les applications à haute tension(2022)

Description

International audience

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Created:
November 1, 2024
Modified:
November 1, 2024