Published September 16, 2024
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Conference paper
Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate
- Others:
- WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg (LUSAC) ; Université de Caen Normandie (UNICAEN) ; Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)
- Institut Néel (NEEL) ; Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP) ; Université Grenoble Alpes (UGA)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UniCA)
- Université de Toulon (UTLN)
- Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP) ; Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg (LUSAC) ; Université de Caen Normandie (UNICAEN) ; Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)
- ANR-22-CE05-0028,ACTION,Nouveau transistors à canaux AlGaN pour les applications à haute tension(2022)
Description
International audience
Additional details
- URL
- https://hal.science/hal-04761108
- URN
- urn:oai:HAL:hal-04761108v1
- Origin repository
- UNICA