Published September 23, 2024
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Conference paper
Pseudo-vertical GaN-on-Sapphire PiN Diode: Process Optimizations and Electrical Properties
Contributors
Others:
- GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN) ; Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL) ; Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- STMicroelectronics [Tours] (ST-TOURS)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UniCA)
Description
International audience
Additional details
Identifiers
- URL
- https://hal.science/hal-04827187
- URN
- urn:oai:HAL:hal-04827187v1
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- UNICA