Effects of GaAlN barriers and of dimensionality on optical recombination processes in InGaN quantum wells and quantum boxes.

Creators: Lefebvre, Pierre; Taliercio, Thierry; Morel, Aurélien; Allègre, Jacques; Gallart, Mathieu; Gil, Bernard; Mathieu, Henry; Damilano, Benjamin; Grandjean, Nicolas; Massies, Jean

Others:: Groupe d'étude des semiconducteurs (GES) ; Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA); Actions Concertées Incitatives du MENRT "BOQUANI" et "NANILUB".; European Project: HPRN-CT-1999- 00132,CLERMONT

Description

We compare several InGaN-based low-dimensional systems, by time-resolved photoluminescence (PL), versus temperature (8

International audience