Published June 14, 2021
| Version v1
Conference paper
Fluorine-based plasma treatment for AlGaN/GaN e-mode HEMTs and low on-voltage diodes
Contributors
Others:
- Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance - ULR 2697 (L2EP) ; Centrale Lille-Université de Lille-Arts et Métiers Sciences et Technologies ; HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- This work has been supported by the certified CMNF platform and the PCMP platform (CHOP service) from Lille University (IEMN) and by the RENATECH network.
- Renatech Network
- PCMP CHOP
Description
The onset and pinch-off voltages shift of lateral GaN field-effect rectifier diodes (L-FER) and normally-off HEMTs are studied. It is shown that a short duration of low power SF6 plasma followed by a low temperature annealing permits to get an effective and stabilized fluorine ion implantation in the AlGaN barrier, contributing to reduce the back shift of both devices threshold voltages.
Abstract
International audienceAdditional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03275589
- URN
- urn:oai:HAL:hal-03275589v1
Origin repository
- Origin repository
- UNICA