Published March 2017
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Journal article
Anomalous DC and RF behavior of virgin AlGaN/AlN/GaN HEMTs
Contributors
Others:
- Universidad de Salamanca
- Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca] ; Universidad de Salamanca
- Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
- Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN (CSAM - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut TELECOM/TELECOM Lille1 ; Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- Direccion General de Investigacion (MICINN)Spanish Government [TEC2013-41640-R]
- Consejeria de Educacion de la Junta de Castilla y Leon [SA052U13]
- French National Research AgencyFrench National Research Agency (ANR) [ANR-10-BLAN-0303]
- University of Salamanca
- ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
- ANR-10-BLAN-0303,STARGAN,EtudeS de sTructures Avancées de la filière nitRure de gallium (GaN)(2010)
Description
The performance of gallium nitride transistors is still limited by technological problems often related to defects and traps. In this work, virgin AlGaN/AlN/GaN HEMTs exhibiting an anomalous DC behavior accompanied by frequency dispersion in the microwave range, both in the transconductance and output conductance, are analyzed. This anomalous response, which is mitigated by high-bias conditions, is attributed to the presence of traps and defects both in the volume of the GaN channel and in the source and drain contacts. A simple equivalent circuit model is proposed to replicate the dispersive response of the transistor, achieving an excellent agreement with the measured S-parameters and thus providing relevant information about its characteristic frequency.
Abstract
International audienceAdditional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03270095
- URN
- urn:oai:HAL:hal-03270095v1
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- UNICA