Published June 2013
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Conference paper
Raman Investigation of Heavily Al Doped 4H-SiC Layers Grown by CVD
Contributors
Others:
- Laboratoire Charles Coulomb (L2C) ; Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Semi-conducteurs: Graphène, Grand gap & Photovoltaïque (SMC) ; Laboratoire Charles Coulomb (L2C) ; Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- NOVASiC ; NOVASiC
Description
Raman Investigation of Heavily Al Doped 4H-SiC Layers Grown by CVD
Abstract
International audienceAdditional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01936666
- URN
- urn:oai:HAL:hal-01936666v1
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- UNICA