Published May 2018
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Journal article
Crack Statististics and Stress Analysis of Thick GaN on Patterned Silicon Substrate
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Description
In this work, crack statistics are developed for MOCVD-grown 12 μm thick GaN on patterned Si substrate for different sizes, trench widths and trench heights of the mesas. Optical microscope is used to obtain the percentage ofcracked mesas in order to develop the crack statistics. The crack statistics show that the size and the trench height of the mesas have large effects on the percentage of cracked mesas but the trench width has no significanteffect. The stress on crack-free thick GaN mesas is investigated by micro-Raman scattering process at room temperature by varying the size, trench height and trench width of the mesas. Both crack statistics and stress measurement show the similar behavior while varying these features of the mesas. According to Raman analysis, the critical stress for cracking of 12 μm GaN films is about 1.8 GPa.
Abstract
International audience
Additional details
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01871066
- URN
- urn:oai:HAL:hal-01871066v1
- Origin repository
- UNICA