Published April 2015
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Journal article
Power performance at 40 GHz of AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrate
Contributors
Others:
- Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
- Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN (CSAM - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut TELECOM/TELECOM Lille1 ; Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
- Research National Agency within the frame of STARGaN Project [NT09_479311]
- RENATECH Technological Network
- Cluster of Excellence GANEX [ANR-11-LABX-0014]
- Renatech Network
- ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
- ANR-10-BLAN-0303,STARGAN,EtudeS de sTructures Avancées de la filière nitRure de gallium (GaN)(2010)
Description
This letter reports on the demonstration of microwave power performance at 40 GHz on AlGaN/GaN high-electron mobility transistor grown on silicon (111) substrate by molecular beam epitaxy. A maximum dc current density of 1.1 A.mm(-1) and a peak extrinsic transconductance of 374 mS.mm(-1) are obtained for 75-nm gate length device. At V-DS = 25 V, continuous-wave output power density of 2.7 W.mm(-1) is achieved at 40 GHz associated with 12.5% power-added efficiency and a linear power gain (G(p)) of 6.5 dB. The device exhibits an intrinsic current gain cutoff frequency F-T of 116 GHz and a maximum oscillation frequency F-MAX of 150 GHz. This performance demonstrates the capability of low cost microwave power devices up to Ka-band.
Abstract
International audienceAdditional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03276913
- URN
- urn:oai:HAL:hal-03276913v1
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- UNICA