Published June 14, 2021
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Conference paper
AlGaN/GaN HEMTs on AlN substrate for power electronics
Contributors
Others:
- Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- This work was supported by the French RENATECH network, the French National grant ANR-17-CE05-00131 project called BREAKUP and the ANR-11-LABX-0014 within the national network GaNeX.
- Renatech Network
- ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
- ANR-17-CE05-0013,BREAkuP,Matériaux à ultra large bande interdite pour les futurs applications d'électronique de puissance(2017)
Description
GaN high electron mobility transistors (HEMT) are becoming the mainstream for high frequency and power switching applications. On the other hand, Ultra-Wide Band Gap (UWBG) materials such as AlN that has a bandgap of 6.2 eV are attracting attention for pushing the limits of high voltage power devices. In this work, we report on AlGaN/GaN-on-AlN HEMTs using thick and thin GaN channels in comparison with GaN-on-Si HEMTs using a similar thin epi-design.
Abstract
International audienceAdditional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279160
- URN
- urn:oai:HAL:hal-03279160v1
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- UNICA