Published September 12, 2006 | Version v1

Conference paper Metadata-only

A Novel Self Aligned Design Adapted Gate All Around (SADAGAA) MOSFET including two stacked Channels: A High Co-Integration Potential

Creators: Wacquez, R.; Cerutti, R.; Coronel, P.; Cros, A.; Fleury, D.; Pouydebasque, A.; Bustos, J.; Harrison, S.; Loubet, N.; Bborel, S.; Lenoble, D.; Delille, D.; Leverd, F.; Judong, F.; Samson, M.-P.; Vuillet, N.; Guillaumot, B.; Ernst, T.; Masson, P.; Skotnicki, T.

Others:: Département Mécanismes d'Accidents (INRETS/MA) ; Institut National de Recherche sur les Transports et leur Sécurité (INRETS); STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA); Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications (LEAT) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Description

International audience

Additional details

Created:: December 4, 2022
Modified:: November 30, 2023