Published August 1, 2016
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Journal article
Impact of the bending on the electroluminescence of flexible InGaN/GaN light-emitting diodes
Contributors
Others:
- Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications ; Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
- Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- 3M France
- Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN (CSAM - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut TELECOM/TELECOM Lille1 ; Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
- ANR-13-NANO-0003,FLEXIGAN,Composants sur supports FLEXIbles de la filière GaN(2013)
- ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Description
The role that the mother substrate plays to influence the performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) onto the adhesive flexible tapes is addressed in this letter. For this purpose, the electroluminescent (EL) spectra and current density-voltage (J-V) characteristics of flexi-LEDs are studied under different convex bending configurations (from a curvature radius of infinity to 1.4 cm), showing only one peak around 442 nm in all the cases. Both the EL spectra and J-V characteristics are affected by the applied tensile stress when the flexi-LED is bent. In fact, an increase of the applied tensile strain from 0.02% to 0.09% results in a red-shift of the EL peak energy by 3 meV at 0.7 mA, and a drop of the current at high forward bias. In addition, such flexi-LEDs exhibit a reversible response when a significant mechanical deformation is applied.
Abstract
International audienceAdditional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03270097
- URN
- urn:oai:HAL:hal-03270097v1