Published 2018
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Journal article
Optical and Thermal Performances of (Ga,In)N/GaN Light Emitting Diodes Transferred on a Flexible Tape
Contributors
Others:
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
- Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
- Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN (CSAM - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut TELECOM/TELECOM Lille1 ; Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
- Renatech Network
- ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
- ANR-13-NANO-0003,FLEXIGAN,Composants sur supports FLEXIbles de la filière GaN(2013)
Description
Blue (Ga,In)N-based light-emitting diodes (LEDs) grown on a Si(111) substrate by metal-organic vapor phase epitaxy are transferred on a flexible tape after the Si substrate removal. Their optical and thermal behaviors are measured and compared to those of regular LEDs on Si. The light output power of the flexible LEDs is increased due to a higher light extraction efficiency related to the removal of the absorbing Si substrate. However, the maximum output power is limited by thermal effects due to the lower thermal conductivity of the flexible tape. Monitoring the electroluminescence wavelength of the flexible LEDs allows determining their acceptable operating range. The maximum flexible LED luminance is 5×10 5 cd/m 2 .
Abstract
International audienceAdditional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02304909
- URN
- urn:oai:HAL:hal-02304909v1