Published May 31, 2022
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Journal article
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications
- Others:
- Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN) ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) ; Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)
- GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347) ; Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL) ; Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- NOVASiC ; NOVASiC
- This work was supported by the technology facility network RENATECH and the French National Research Agency (ANR) through the projects ASTRID GoSiMP (ANR-16-ASTR-0006) and the "Investissement d'Avenir" program GaNeX (ANR-11-LABX-0014). This research work has beenpartially undertaken with the support of IEMN fabrication (CMNF) and characterization (PCMP).
- Renatech Network
- CMNF
- PCMP CHOP
- ANR-16-ASTR-0006,GoSiMP,Optimisations combinées par l'épitaxie pour composants hyperfréquences de puissance GaN sur Silicium(2016)
- ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Description
In this work, an AlGaN/GaN HEMT structure is grown on a 0.8 μm thick 3C-SiC layer on high resistivity Silicon substrate. The RF propagation losses are investigated and compared with the ones of epi-layers grown directly on Silicon and on 6H-SiC substrates. Short gate length transistors are fabricated using e-beam lithography. In spite of ohmic contact resistance of 0.6 Ω.mm, a saturated current density of 0.7 A/mm at a gate bias of +1V and a transconductance peak higher to 250 mS/mm for 75 nm T-shaped gate transistors are reached on structure with thick 3C-SiC template. Moreover, for the first time, transition frequencies f T /f max of 60/98 GHz are reported on such 3C-SiC template.
Abstract
International audience
Additional details
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03741438
- URN
- urn:oai:HAL:hal-03741438v1
- Origin repository
- UNICA