Published November 1, 2020
| Version v1
Journal article
Freestanding-quality dislocation density in semipolar GaN epilayers grown on SOI: aspect ratio trapping
Contributors
Others:
- Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
- Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Description
International audience
Additional details
Identifiers
- URL
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03013787
- URN
- urn:oai:HAL:hal-03013787v1
Origin repository
- Origin repository
- UNICA