Measurement of Pulsed Current-Voltage Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs from Room Temperature to 15 K

Creators: Laurent, T.; Sharma, R.; Torres, J.; Nouvel, P.; Blin, S.; Palermo, C.; Varani, L.; Cordier, Y.; Chmielowska, M.; Faurie, J.-P.; Beaumont, B.

Others:: Institut d'Electronique et des Systèmes (IES) ; Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Térahertz, hyperfréquence et optique (TéHO) ; Institut d'Electronique et des Systèmes (IES) ; Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA) ; Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS) ; COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA); Laboratoire des sciences et matériaux pour l'électronique et d'automatique (LASMEA) ; Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand 2 (UBP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Description

We report measurements of the pulsed and dc current-voltage characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors as functions of geometry, temperature (from 300 down to 15 K), and operating conditions. An increase in the drain current with shortening of the pulse width from 1 µs to 400 ns is found to be significant at room temperature whilst this behavior is inverted or even removed at 77 and 15 K temperatures.

Abstract

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Measurement of Pulsed Current-Voltage Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs from Room Temperature to 15 K

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