In this paper, we propose a high-frequency model taking into account the series resistance of pseudovertical GaN based PiN diodes. This model relies on the specific contact resistance on p-type GaN and the sheet resistance of the bottom n-type GaN. Those two quantities are obtained while fitting the RF experimental data and are slightly...
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2025 (v1)Journal articleUploaded on: April 4, 2025
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September 23, 2024 (v1)Conference paper
International audience
Uploaded on: January 13, 2025 -
October 3, 2007 (v1)Publication
Les matériaux semiconducteurs jouent aujourd'hui un grand rôle dans les dispositifs électroniques et optoélectroniques. En particulier, qu'il s'agisse des télécommunications par voies Hertziennes ou Microondes, sur Terre ou en liaison avec des satellites, ou encore de radars ou de gestion de l'énergie, les semiconducteurs à grande largeur de...
Uploaded on: December 3, 2022