DAMILANO , B.

Porous GaN and (Ga,In)N/GaN single quantum well layers are fabricated using a selective area sublimation (SAS) technique from initially smooth and compact 2-dimensional (D) layers grown on Si(111) or c-plane sapphire substrates. The photoluminescence properties of these porous layers are measured and compared to reference non-porous samples....

Les fluides quantiques d'excitons indirects sont un système bosonique intéressant en tant qu'état collectif quantique de longue durée de vie. Nous présentons les progrès récents pour leur génération, leur refroidissement et leur piégeage dans des puits quantiques GaN/(Al,Ga)N, ainsi que les premières indications de condensation dans un état...

Al, Ga)N light emitting diodes (LEDs), emitting over a large spectral range from 360 nm (GaN) down to 210 nm (AlN), have been successfully fabricated over the last decade. Clear advantages compared to the traditional mercury lamp technology (e.g. compactness, low-power operation, lifetime) have been demonstrated. However, LED efficiencies still...