FRAYSSINET , Éric

Les travaux portent sur la réalisation technologique d'un HEMT AlGaN/GaN normally-off avec une grille à barrière P-GaN. Des résultats de simulation ont montré que la tension de seuil de cette structure peut atteindre une valeur supérieure à 2 V et qu'elle est liée à la profondeur de gravure de la couche d'AlGaN. Nous avons développé une recette...

A new normally-off AlGaN/GaN HEMT structure is proposed. The regrowth of a P-GaN layer on the AlGaN/GaN heterostructure after the gate recess allows the achievement of the enhancement mode. A shift in the threshold voltage to positive values has been proved through simulation results. A precise control of the etch depth for the gate recess is detailed.