CHENOT , Sébastien

In this work, ammonia source molecular beam epitaxy is explored as an alternative technique to grow ScAlN/GaN high electron mobility transistor heterostructures on a silicon substrate with thin buffer layers. The effect of ScAlN barrier thickness is investigated. A transistor with a maximum drain current superior to 1 A mm −1 has been...

International audience

In this work, ammonia source molecular beam epitaxy is explored as an alternative technique to grow ScAlN/GaN High Electron Mobility Transistor heterostructures. The effect of growth temperature and ScAlN barrier thickness on 2dimensional electron gas density is investigated with capacitancevoltage measurements. A transistor with a maximum...

Les applications de la lithographie électronique pour la nanophotonique sont vastes, couvrant une gamme allant des résonateurs optiques individuels et des nano antennes aux métasurfaces et autres structures encore plus complexes. Les systèmes de lithographie actuels, grâce à la résolution élevée des sources et à un contrôle de faisceau...